taimei氧化鋁粉在新能源領(lǐng)域的需求及應(yīng)用

發(fā)布日期：2025-02-07      瀏覽次數(shù)：277

精細氧化鋁粉體通過對工業(yè)原材料的精密加工以適應(yīng)不同行業(yè)的應(yīng)用需求，其主要以工業(yè)氧化鋁為原料，通過提純、煅燒、研磨、均化、分級等加工工序，控制粉體晶體形貌、晶相轉(zhuǎn)化率、粒徑與分布、敏感特定元素、表面性能及活性等技術(shù)指標，使其具備絕緣、耐高溫、高導熱及化學性能穩(wěn)定等特點，可滿足不同下游領(lǐng)域的具體材料應(yīng)用需求。目前，精細氧化鋁粉體作為電子材料的應(yīng)用越來越受到重視，是生產(chǎn)電子陶瓷器件、電子玻璃、鋰電池隔膜、高壓電器、晶圓研磨拋光材料等產(chǎn)品的重要基礎(chǔ)材料，終端應(yīng)用覆蓋了集成電路、消費電子、電力工程、電子通訊、新能源汽車、平板顯示、光伏發(fā)電等多個國家大力發(fā)展的重點領(lǐng)域。

鋰電池隔膜涂覆領(lǐng)域

精細氧化鋁是鋰電池隔膜涂覆的關(guān)鍵材料，隔膜表面單面或者雙面進行涂覆可以顯著提高高溫穩(wěn)定性，緩解隔膜熱收縮造成的電池正負極接觸、燃燒、爆炸的安全問題，經(jīng)涂覆后隔膜厚度增加，隔膜的穩(wěn)定性和壽命都有顯著改善。

在涂覆技術(shù)路線方面，涂覆材料主要包括無機物涂覆、有機物涂覆和功能性多層涂覆。與有機涂覆和功能性多層涂覆技術(shù)相比，無機涂覆隔膜的可拉伸強度和熱收縮率更好，且技術(shù)更加成熟，下游客戶已形成產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

半導體陶瓷零部件領(lǐng)域

陶瓷具有高硬度、高彈性模量、高耐磨、高絕緣、耐腐蝕、低膨脹等優(yōu)點，可用作硅片拋光機、外延/氧化/擴散等熱處理設(shè)備、光刻機、沉積設(shè)備，半導體刻蝕設(shè)備，離子注入機等設(shè)備的零部件，因此精密陶瓷部件的研發(fā)生產(chǎn)直接影響半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，其制備技術(shù)要求也越來越高。通常半導體設(shè)備用陶瓷有氧化鋁、氮化硅、氮化鋁、碳化硅等，其中，氧化鋁作為“性價比高”的精密陶瓷材料，在該領(lǐng)域有著非常普遍的應(yīng)用。

氧化鋁陶瓷在半導體刻蝕設(shè)備中，主要采用高純Al2O3涂層或Al2O3陶瓷作為刻蝕腔體和腔體內(nèi)部件的防護材料。除了腔體以外，等離子體設(shè)備的氣體噴嘴，氣體分配盤和固定晶圓的固定環(huán)等也需用到氧化鋁陶瓷。再例如在晶圓拋光工藝中，氧化鋁陶瓷可被廣泛應(yīng)用于拋光板、拋光磨墊校正平臺、真空吸盤等。

高純度氧化鋁（Taimicron）

Taimicron是Daimei Chemical多年來種植的鋁制化合物合成技術(shù)出生的高純度，超細的高陶瓷粉末。 Taimicron是一種2（OH）3Alco4
基于銨劑量的合成（NH

用途

高強度和耐磨材料
人造骨骼和牙科材料，軸承等。

電子材料
IC板，半導體制造夾具，傳感器等。

光學材料
透明陶瓷，紅寶石，YAG等。

其他
各種填充劑，合成尖晶石，催化劑載體等

低溫可燒毀的氧化鋁

Taimicron用于燒結(jié)的是一種高純度α-鋁粉，在極低的溫度下燒結(jié)，并且由于主要顆粒是細的和單個粒子而變得致密性。

■功能

這是一種高純度超細粉末，超過99.99％。

它在低溫下被燒結(jié)并致密。
在1250°C至1300°C下發(fā)射，使其越來越密集至98％或更多的理論密度。

可以獲得表現(xiàn)出氧化鋁原始特性的出色燒結(jié)物體。
該陶瓷具有出色的強度，高硬度，耐耐磨性和耐腐蝕性。

透明的陶瓷很容易獲得。

■代表性值

年級		tm-uf	TM-DA	TM-DAR	TM-5D
結(jié)晶形式		α-鋁	α-鋁	α-鋁	α-鋁
特定的表面積	平方米/g	17.0	12.5	13.5	9.0
初級粒徑*1	µm	0.09	0.12	0.12	0.20
靜態(tài)散裝密度	g/cm³	0.8	0.8	0.9	0.8
水龍頭密度	g/cm³	1.0	0.9	1.0	1.1
成型密度*2	g/cm³	2.3	2.2	2.3	2.3
燒結(jié)密度	g/cm³	3.93 *3	3.95 *4	3.96 *4	3.93 *5

*1：從SEM照片中測量 *2：單軸壓制成型（98MPA）
*3：1250℃ *4：1350℃ *5：1400℃（每個射擊1小時）

過渡氧化鋁

具有γ和θ作為主要相的氧化鋁。

■功能

它是一種具有極為細顆粒的粉末，并且表面積較大。

它具有較高的活性和出色的反應(yīng)性。

■代表性值

年級		TM-100	TM-300	TM-100D	TM-300D
結(jié)晶形式		θ-鋁	γ-鋁	θ-鋁	γ-鋁
特定的表面積	平方米/g	120	220	120	200
初級粒徑*1	µm	0.014	0.007	0.014	0.010
靜態(tài)散裝密度	g/cm³	0.15	0.05	0.40	0.40
水龍頭密度	g/cm³	0.18	0.08	0.60	0.60